BALLUFF光電測距傳感器/BALLUFF位移傳感器
BALLUFF光電測距傳感器薄膜傳感器 厚膜傳感器陶瓷傳感器 　　集成傳感器是用標(biāo)準(zhǔn)的硅基半導(dǎo)體集成電路的工藝技術(shù)制造的。通常還將用于初步處理被測信號的部分電路也集成在同芯片上。 　　薄膜傳感器則是通過沉積在介質(zhì)襯底（基板）上的，相應(yīng)敏感材料的薄膜形成的。使用混合工藝時，同樣可將部分電路制造在此基板上。 　　厚膜傳感器是利用相應(yīng)材料的漿料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后進(jìn)行熱處理，使厚膜成形。 　　陶瓷傳感器采用標(biāo)準(zhǔn)的陶瓷工藝或其某種變種工藝（溶膠-凝膠等）。 　　完成適當(dāng)?shù)念A(yù)備性操作之后，已成形的元件在高溫中進(jìn)行燒結(jié)。厚膜和陶瓷傳感器這二種工藝之間有許多共同特性，在某些方面，可以認(rèn)為厚膜工藝是陶瓷工藝的種變型。 　　每種工藝技術(shù)都有自己的優(yōu)點和不足。由于研究、開發(fā)和所需的資本投入較低，以及傳感器參數(shù)的高穩(wěn)定性等原因，采用陶瓷和厚膜傳感器比較合理。
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balluff BTL5-E10-M2000-P-KA05
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;單榮兵/余娟
BALLUFF光電測距傳感器/BALLUFF位移傳感器
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balluff BTL5-F-2814-1S
balluff BTL5-S102-M0700-P-S32
balluff BTL5-S102-M0300-P-S32
balluff BKS-S33M-10
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balluff BES516-300-S 266-S 4
balluff BES 516-217-E4-E-03
balluff BTL5-E10-M1700-P-S32
balluff BTL5-E10-M0650-P-S32
balluff BES M18MI-PSC80B-BV02
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balluff BES M12MI-PSC20B-S04G
balluff BNS819-B03-D12-61-12-10
balluff BNS-819-99-K-13
balluff BNS-819-B04-D12-61-12-10
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balluff BTL5-E10-M0750-K-SR32
balluff BTL5-E17-M1050-P-S32
balluff BTL5-E17-M0400-P-S32
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balluff BKS-S33M-15
balluff BTL5-E10-M0175-B-S32
balluff BTL2-GS10-0350-A
balluff BTL-P-1013-4R
balluff BTL5-E10-M0600-P-S32
balluff BKS-S 92-00
balluff BKS-S33M-15
balluff BTL2-GS10-0350-A
balluff BTL5-D112-M450-P-S93
balluff BTL5-E10-M1400-P-S32
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balluff BTL5-C10-M0100-B-S32
balluff BKS-S33M-00（10M）
balluff BTL-P-1012-4R
balluff BTL5-A11-M1500-B-S32
balluff BOS 18KF-NA-1PE-S4-C